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三星加大NAND芯片产能稳固内存市场地位
相关专题: 国际要闻  发布时间:2010-05-31
资讯导读:据报道,台湾DRAM内存制造商认为,三星目前已经将重点放在了拉大与竞争对手在NAND闪存市

据报道,台湾DRAM内存制造商认为,三星目前已经将重点放在了拉大与竞争对手在NAND闪存市场差距。由于在DRAM市场的地位十分稳固,三星未来将不 会继续加强该市场的投资,因此其它DRAM厂商在这方面的影响将会比较小。三星此前在全球NAND闪存市场的份额一度达到50%,但目前 已经滑落到了40%,而且排在第二的东芝也是在身后紧追不舍。为了拉大与东芝的差距,三星可能将会将其NAND闪存芯片生产集中在新建的Line-16生 产线上。

外界还认为,受到操纵内存价格事、可能遭受反垄断调查影响,三星未来在DRAM市场份额继续增长的可能性不大。

  根据三星的存储芯片增产方案,Line-16生产线上的DRAM内存、NAND闪存芯片以及下一代存储产品将在2011年投入生产,月需12寸晶圆数量20万片。三星还将利用其Line-15生产线增加其30nm DRAM芯片产量。

  Digitimes Research分析师Nobunaga Chai认为,三星的增产计划将影响到内存市场供需和价格。三星已经早于其它竞争对手提前过度到了30nm工艺,该工艺生产的DRAM芯片将占据其今年内存芯片总量的10%。

  Nobunaga Chai还预计称,2011-2012年DRAM市场可能出现产能过剩的局面,到时候将会出现价格大幅下降,一些竞争力不强的DRAM厂商将会被淘汰。

来源:维库电子市场网   编辑:admin  
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