SuVolta公司，前身名为DSM Solutions的新兴公司，近期透露了关于该公司计划通过采用互补结FET技术实现低功耗IC运行的一些细节。

　SuVolta公司的CTO---Ashok Kapoor于不久前在英国哥伦比亚省惠斯勒市举行的2010 CMOS新兴技术研讨会上进行了发言。在这种情况下，CMOS面向通信、微系统、光电产品和传感器。Kapoor的演讲题目分别是“采用互补JFET的VLSI”和“用于实现极低功耗的JFET技术”。横向结FET和MOSFET不同之处在于，前者采用反向偏置P-N结来将栅极与晶体管的衬底隔离，而不是一个绝缘层。并且其沟道掺杂与其源极和漏极的掺杂完全相同，在提出的结少纳米线晶体管中产生类似的动作。

　　Kapoor是成立于2005年的DSM Solutions公司的创始人之一。该公司筹集到2,500万美元，从那以后，由董事长Bill Joy和Andy Rappaport分别代表风险投资Kleiner Perkins Caufield& Byers公司和August Capital公司的利益。在2009年12月SuVolt 公司（当时该公司已更名为SuVolta）筹集到300万美元，由芯片封装公司Tessera Technologies的前董事长、总裁兼CEO总裁Bruce McWilliams作为CEO加入。SuVolta公司已经获得了一系列将JFET技术用于实现低功耗逻辑、内存和信号传送的专利。

　　在惠斯勒的发言中，Kapoor提出采用双栅极JFET，因为它有一个接近理想的亚阈值摆幅。他给出了采用60nm栅极的NFET和PFET结构的尺寸量测。

　　Kapoor还展示了利用基于体硅的互补JFET构造出的99级环路振荡器的结果。他还讨论了高p-井的电容的不足，和由于面积的不足导致了为在体硅中实现JFET而隔离晶体管。Kapoor提出的解决方案是在硅绝缘体（SOI）基板搭建立互补JFET。

　　Kapoor在其惠斯勒的演讲中总结到：“随后，在SOI上用JFET产生功能性逻辑电路也得到了验证。”他总结说：“JFET操作已被仿真用于沟道长度低于于20nm，有合理的Ion/Ioff比，电源电压为0.5V，这使得其成为更短尺寸的备选。”

　　最近上任的市场营销和业务开发副总裁Jeff Lewis表示，SuVolta公司正在“开发一系列能够显着降低半导体功率消耗的技术和方法”。Lewis还告诉EE Times记者：“我们没有打算生产我们自己的芯片;而是计划将技术提供给其它公司，这样他们可以用到自己的产品中。”

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