东京大学联手其他公司将晶圆实现极薄化
发布时间：2010-06-28
资讯导读： 在半导体制造技术国际会议2010 Symposium on VLSI Technology上，东京大学宣布与大日本印刷
在半导体制造技术国际会议“2010 Symposium on VLSITechnology”上，东京大学宣布与大日本印刷、富士通微电子（现富士通半导体）、富士通研究所以及迪思科（Disco）共同在厚度降至10μm以下的半导体晶圆上形成了强介电体存储器（FeRAM）和CMOS逻辑电路，并证实在薄型化前后元件特性没有发生大的变化。该研究目的是利用在晶圆上层叠晶圆，即通过TSV（Through Silicon Via，硅贯通孔）进行三维连接的WoW（Wafer-on-Wafer）技术，安装层叠100层的超大容量存储器，将高度控制在2mm以内等。
来源：维库电子市场网 编辑：admin
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