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东京大学联手其他公司将晶圆实现极薄化
相关专题: 国际要闻  发布时间:2010-06-28
资讯导读:  在半导体制造技术国际会议2010 Symposium on VLSI Technology上,东京大学宣布与大日本印刷

  在半导体制造技术国际会议“2010 Symposium on VLSITechnology”上,东京大学宣布与大日本印刷、富士通微电子(现富士通半导体)、富士通研究所以及迪思科(Disco)共同在厚度降至10μm以下的半导体晶圆上形成了强介电体存储器(FeRAM)和CMOS逻辑电路,并证实在薄型化前后元件特性没有发生大的变化。该研究目的是利用在晶圆上层叠晶圆,即通过TSV(Through Silicon Via,硅贯通孔)进行三维连接的WoW(Wafer-on-Wafer)技术,安装层叠100层的超大容量存储器,将高度控制在2mm以内等。

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