英特尔的Bohr认为,全球第一个32纳米的Westmere处理器将在其俄勒冈州的Hillsboro的DID工厂内进行量产.

    在英特尔的发展论坛IDF开会之前(2009,9月底) 出货32纳米处理器样品给客户进行测试,预示32纳米处理器已经进入量产前的验证阶段,并表示Q4全球第一家工厂将产生其销售额.

    Westmere, Intel's first 32 nm processor, was demonstrated in January 2009.

    Bohr表示,在DID工厂进行量产之后在Hillsboro的DIC厂在Q4也进行量产,紧接着在亚利桑那州的Chandler的Fab 32及新墨西哥州的Rio Rancho厂进行大量生产,并承诺将化费总计为70亿美元来支持改造升级现有的工厂进行32纳米处理器的量产.

    有关32纳米处理器的细节,包括准确的驱动电流测量,在PMOS的引变结构中锗的加入及其它关键等将在12月7-9日于巴尔的摩的英特尔IEDM会上提出讨论.

    Bohr同样谈到在CPU与SoC处理器间的差距正在缩小,在45纳米节点时,SoC工艺相比于CPU落后1年,而到32纳米?仅只有6个月.英特尔希望未来把这个差距缩短至3个月.

    英特尔此次?用缩小间距0,7倍到112.5纳米,即一个接触点的中心到下一个中心的间距来测量.而替代过去依面积或者其上晶体管的尺寸来比较.今后的每个节点都必须引进新技术及新的材料.如在90及65纳米时功能的提高主要依赖引?硅技术的导入,而到45及32纳米时依赖于高k及金属栅.

    在源漏结构中首次引入栅电流增大的方法,如在PMOS中的SiGe,然后把多晶硅栅付蚀掉,并用金属栅来替代.此种多晶硅栅被付蚀掉的作用可以看作如同在PMOS晶体管中的沟道更加被压缩一样,使得PMOS的驱动电流与NMOS功能相接近.

    PMOS drive currents are getting closer to traditionally faster NMOS devices. (Source: Intel)

    Bohr认为显然过于太强的引?层实际上会导致沟道晶格中的缺陷密度增加,所以不能把引变硅的势能完全耗尽.其主要的结果是缩小PMOS及NMOS的功能差异,另一个目的将在英特尔的IEDM会上讨论.

    在32纳米处理器制造中,英特尔首次使用193nm浸入式光刻机.Bohr认为浸入式光刻技术在下一代22纳米处理器时同样会使用.至于谈到是否 EUV光刻将用在15纳米使用时,Bohr回答EUV技术可能尚未准备好,至少在15纳米开初的试生产中.它补充道英特尔正努力延伸193nm浸入式光刻技术至15纳米工艺中.

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