韩国三星电子宣布，该公司的硅代工部门已经完成了32nm工艺SoC（System on aChip）工艺技术的开发，并做好了受托生产的准备工作。能够代工量产采用high-k绝缘膜和金属栅极技术的低功耗版（LP）工艺，以便携产品用SoC为对象的产品。目前已经在该公司的硅代工业务基地--韩国器兴的300mm生产线“S生产线”上完成了工艺验证。

　　三星采用的32nm工艺的基础是三星通过以美国IBM为主的CMOS工艺技术联合开发联盟（IBM Joint DevelopmentAlliance）开发的技术。该技术采用了在晶体管制造工艺的开始部分形成金属栅极的“先行栅极（GateFirst）方式”,通过最小化对电路板图案的限制（RDR:Restrictive DesignRule,限制性设计规则），与45nm工艺相比集成密度提高了一倍。三星表示，“这是一项用于微细化的工艺，可轻松过渡到28nm代LP工艺”.

　　作为32nm工艺验证的一部分，三星电子试制了SoC,已经证实与采用45nm代LP工艺的SoC相比可削减功耗。据介绍，在工作频率相同的条件下，可将工作时的功耗和漏电耗能分别降低30%和55%C中配备了三星硅代工业务合作企业的IP.分别为英国ARM的处理器内核“ARM1176 core”与物理IP（标准单元和内存编译器等），以及美国新思科技（Synopsys）的“USB 2.0 OTG”等。

　　此外，三星还通过与新思科技、美国益华电脑（Cadence Design Systems）以及美国明导科技（MentorGraphics）等大型EDA厂商之间的合作，在32nm代LP工艺的设计流程中采用了下面提到的技术。分别是（1）电源门控（PowerGating）、多阈值电压、多通道长度以及自适应体偏置（BodyBias）等漏电耗能削减技术；（2）统计静态时序分析（SSTA:Statistical Static TimingAnalysis）；（3）单元级别以及芯片级别的多种DFM（Design ForManufacturability,可制造性设计）。

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