随着半导体微缩制程演进，3D IC成为备受关注的新一波技术，在3D IC时代来临下，半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日，一起召开记者会对外宣布共同开发矽穿孔(TSV) 3D IC制程。据了解，由联电以逻辑IC堆叠的前段晶圆制程为主，尔必达则仍专注于存储器领域，而力成则提供上述2家公司所需的封测服务，成为前后段厂商在 TSV 3D IC联手合作的首宗案例。

　　尔必达、力成和联电将于21日在联电联合大楼举行技术合作协议签订记者会。据了解，3家公司的董事长、执行长和技术长皆会亲自出席，包括尔必达社长坂本幸雄、技术长五味秀树，力成董事长蔡笃恭、总经理廖忠机和技术本部总技术长岩田隆夫，以及联电执行长孙世伟、先进开发技术副总经理简山杰等重量级人物，显见3家公司对此次记者会十分重视。

　　目前TSV 3D IC技术最主要应用仍为CMOS Image Sensor及部分微机电系统(MEMS)相关产品的制造。联电对于逻辑IC方面的堆叠也相当有兴趣，该公司在5月20日30周年庆时，即由简山杰对外说明该公司在特殊技术的开发成果，其中在TSV 3D IC方面，简山杰说，其优点在于运用不同的IC，使元件更小、效能更高。该公司采先钻孔(Via First)为主要开发方向，提供芯片间更短及更低电阻的导线连接技术，符合下一世代高效能IC需求。

　　根据统计，随着TSV加工技术进步，与加工成本下滑，采用TSV 3D IC技术的半导体产品出货量市占比重会大幅提高，其中DRAM与Flash等存储器产品更占TSV 3D IC出货过半比重，因此三星电子(Samsung Electronics)、尔必达等日、韩系存储器大厂已投入TSV 3D IC技术研发。据了解，尔必达已于2010年量产。

　　后段厂力成近年来积极切入3D IC领域，该公司董事长蔡笃恭日前曾表示，该公司与客户(应指尔必达)已经合作开发将近2年的时间，并已斥资新台币10亿~20亿元设置产线。而力成与尔必达合作关系密切，随着尔必达已经量产，力成也将会配合提供后段的服务，将以后钻孔(Via Last)技术为主。

　　TSV 3D IC电气特性虽佳，但技术难度较高，蔡笃恭当时预估该公司在TSV 3D IC技术将在2010~2011年进入送样阶段，最快2012年量产。

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