半导体IP 供应商 Virage Logic 和中国晶圆代工业者中芯国际（SMIC）日前宣布，双方长期合作关系扩展到 65奈米的低耗电（low-leakage）制程技术。根据合作协议， SoC设计人员将能使用 Virage Logic 所开发的，采用中芯国际 65奈米低耗电制程的 SiWare Memory 记忆体编译器、 SiWare Logic 元件库、 Intelli DDR智财 IP 和 SiPro MIPI 智财IP.

　　Virage Logic 的 SiPro MIPI DSI （display serial interface）、CSI （camera serial interface） 控制器以及实体层D-PHY,在保证良率的同时，提供效能、面积、功耗的最佳化方案。SiPro为行动设备摄影机和显示介面提供无缝连接方案，并已通过系统级验证。该IP方案被大量应用於行动 SoC ,已在65奈米低电压制程经过产品验证，并可用於40耐米低电压制程。

　　Intelli DDR记忆体介面产品拥有为DDR1、DDR2、DDR3提供最好效能，最低触发时间的智慧记忆体控制器；最低功耗，最大频宽的行动SDR、行动DDR、低功耗DDR （LPDDR）以及LPDDR2记忆体控制器；并为 DRAM 提供高速、全数位DDR SDRAMPHY+DLL方案以及记忆体模组。与类比方案相比，全数位的Intelli PHY+DLL方案最多可节省25%的功耗，并缩小多达20%的面积，为高效能、低功耗应用提供最佳化的硬核方案。

　　於2007年10月首次推出的65nm SiWare产品线，可满足先进制程实体层IP （physical IP） 日益复杂的设计要求，目前在40nm制程已有超过40家客户。该产品线能针对先进制程，提供最佳化的低功耗方案，大幅降低静态功耗和动态功耗。SiWare High-Density 高密度记忆体编译器能产生最小面积的记忆体。

　　SiWare High-Speed 高速记忆体编译器能帮助设计业者解决最具挑战的关键路径要求。制程极限变数的compile-time选择、省电模式、读写余量的扩展、超低工作电压、以及创新的at-speed测试，都能帮助SoC设计工程师配置出最佳化方案。

　　所有SiWare记忆体皆完全支援Virage Logic的STAR Memory System.STAR Memory System为该公司的旗舰嵌入式记忆体测试和修复系统，可并用於Virage Logic记忆体以及内部开发或者其他商业用途。为便利修复，该STAR Memory System使用代工厂开发的储存eFUSE以用於修复署名纪录的储存。STAR Memory System采用专为先进制程量身定制的测试演算法，以提高产品可靠性及缩短达成高良率目标所需的时间。

　　SiWare Logic产品线针对高效能，高密度需求，特别量身定制高效能，高密度标准单元库。该单元库包含超过1100个基础库存单元，提供多通道配置以及不同的极限变数，能在不影响面积和功耗的前提下，快速达到时序终止。

　　Virage Logic以更严格的设计规则、更高的可制造性、更好的electro-migration可靠性标准，将逻辑元件库的良率提高到最高。Virage Logic透过一致的layout设计，使用非最小化尺寸元件使得局部的变化达到最小，而且，这些特性可以在特定晶圆代工技术的抽取环境中精确反映出来。例如，能反映出WPE （Well Proximity Effect），相邻电路扩散间距等DFM效应。

　　Virage Logic的SiWare Memory 和SiWare Logic产品将在2010年第三季上市。在晶圆代工厂IP赞助方案的支持下，Virage Logic 将直接授权给代工厂的终端客户使用。 Virage Logic的SiPro MIPI 和Intelli DDR 介面IP将在2010年第三季开始上市。

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