搜索
您当前位置： 电子仪器网 >> 综合资讯 > 详细信息
IR发布了一系列HEXFET MOSFET硅技术的器件
相关专题： 电子资讯  发布时间：2012-04-25
资讯导读：　　国际整流器公司 (nal r，简称IR) 推出一系列采用P-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。

全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“采用TSOP-6封装的IR全新功率MOSFET系列，与采用SOT-23和SO-8封装的现有器件相辅相成，为客户设计系统提供了更大的灵活性。这个平台拥有极低的导通电阻，因而这些新器件能够取代封装尺寸较大的MOSFET，有助于减少电路板面积和系统成本。”

所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)，不含铅、溴化物和卤素。

产品规格

器件编号

(- TRPbF)BVDSSVGS 最大值25ºC 时的最大Id典型/最大导通电阻(mΩ)

10V4.5V2.5V

IRFTS9342-30V20V5.9A31/3953/66NA

IRLTS2242-20V12V6.9AN/A26/3245/55

IRLTS634230V12V7.8A12/2015/24

IRFTS834230V20V8.2A15/1922/29N/A

新器件正接受批量订单。　　

编辑：zixun_1  
本文关键字：
免责声明： 本站所有信息均来自网络和相关会员发布，本站已经过审核，如有发现第三者他人利用各种借口理由和不择手段恶意发布、涉及到您或您单位的肖像及知识产权等其他不便公开的隐私和商业信息时，敬请及时与我们联系删除处理。但为此造成的经济或各种纠纷损失本站不负任何责任，特此声明！ 本站联系处理方式：图文发送至QQ邮箱: 523138820@qq.com或微信: 523138820，联系手机: 15313206870。
返回顶部

相关资讯

资讯排行

视觉焦点