新MPD系列IGBT模块外型紧凑，采用新型无焊接AI基板，提供更高的温度循环能力。针对大电流专用的内部结构采用专门的封装，内部封装电感低。采用低损耗的CSTBT硅片技术制成的第6代IGBT模块，享有更宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性，并拥有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD适合于大电机驱动、分散式电力发电（如风力发电）及大功率UPS等场合。

此外，新MPD系列IGBT模块分1200V及1700V两种额定电压，其中CM2500DY-24S的额定电流高达2500A。其硅片最高结温可达175℃，硅片运行温度最高可达150℃。为了提高散热效率，新MPD专为水冷散热系统设计，从而提高产品的性能。其多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接， 交流和直流主端子分离，便于直流母排连接。

三菱电机机电（上海）有限公司副总经理兼半导体事业部部长谷口丰聪先生说：“由于市场对IGBT模块的散热功能十分重视，三菱电机推出的新MPD系列IGBT，非常适合水冷散热，更能切合市场需求。”

现在，半导体功率器件都是采用硅材料，业内人士认为硅材料的节能能力已经接近极限。目前，人们把注意力放到开发碳化硅材料。碳化硅由于有着优良的物理和电气特性，可以期待在电力变换容量、低耗等方面大大超越硅材料。

三菱电机在2010年在世界上首先开发成功完全采用碳化硅、搭载驱动电路和保护电路的全碳化硅IPM。和采用硅材料的IPM相比，电力消耗减少70%、器件体积减少50%。另外，在世界上首次将搭载碳化硅二极管的功率器件用于家用空调，并使之商品化。

在这次展会中，三菱电机同时展出多个系列的产品，包括汽车用的J系EV-IPM和EV T-PM模块； 工业和变频家电用的DIPIPM（双列直插式智能功率模块）等等，旨在向中国市场提供更低功耗、更低成本和更高稳定性的产品和技术。

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