根据最新消息，IBM和英特尔将展开在22nm 3D晶体管研发上的激烈竞争，在旧金山举办的IDEM2012大会，IBM和英特尔各自公布了最新的进展，IBM表示其22nm制程工艺的3D晶体管将会比32nm的腰提升25%-35%的性能，英特尔则是表示其22nm的处理器相比32nm要提升20%到65%的性能。

IDEM，国际电子设备大会，有着60余年的历史，汇聚着处理器芯片、内存等的设计、技术等最新热点。作为芯片设计界的两大带头企业，IBM与英特尔自然是在本次大会上争相出镜，在旧金山举行的IDEM2012大会上公布3D芯片的一些技术细节。

IDEM2012

3D晶体管，指的是FinFET晶体管，英特尔最近推出的22nm三栅极晶体管也是属于此类晶体管。传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)，其控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门，来控制电路的接通与断开。

FinFET的发明人为美籍华人胡正明（Chenming Hu）。胡正明于1947年生于北京，现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授。

FinFET

由于FinFET的研究，胡正明在2000年获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖（DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award）。

FinFET

胡正明介绍到，普通三极管漏电流大，功耗大，工艺复杂，而FinFET的出现改善了这些问题，它工艺简单，体积小巧，成为MOSFET发展的新方向。

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