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闪存容量达到最初3万倍! 三星3D闪存量产
相关专题： 国内要闻  发布时间：2013-09-02
资讯导读： 三星近日宣布其将量产采用新一代3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器。与传统的NAND存储芯片相比，V-NAND闪存的读写速度都要快上1倍、使用寿命达10倍、而能耗亦少了50%。目前，3D芯片所能提供的存储密度，仍与传统的2D结构相同。但在2D结构遇到发展瓶颈时，3D结构就能够更多数量级的额外存储密度。

三星近日宣布其将量产采用新一代3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器。与传统的NAND存储芯片相比，V-NAND闪存的读写速度都要快上1倍、使用寿命达10倍、而能耗亦少了50%。目前，3D芯片所能提供的存储密度，仍与传统的2D结构相同。但在2D结构遇到发展瓶颈时，3D结构就能够更多数量级的额外存储密度。

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节能的同时，3DV-NANDFlash的存取速度，比传统的NAND芯片都要快两倍。

三星表示，这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的2倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。Tb(128GB)级别的闪存芯片指日可待。

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早在2006年，三星就研发了CTF技术。在这种结构的NAND闪存中，电荷被临时存放在氮化硅(SiN)材料制成的非导电层上，而不是用浮动栅极阻断相邻单元的干扰。现在，三星又成功把这种结构推向了三维层面。

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此外，三星自己研发的垂直互连工艺可以将最多24个单元层堆叠在一起，并且使用特殊的蚀刻技术从最高层到最底层打孔，实现各个层的电子互连。。

来源：太平洋电脑网   编辑：zixun_1  
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